évaporation par faisceau électronique

== Français == === Étymologie === Locution composée de évaporation, par et faisceau électronique. === Locution nominale === évaporation par faisceau électronique \e.va.pɔ.ʁa.sjɔ̃ paʁ fɛ.so e.lɛk.tʁɔ.nik\ féminin (Physique, Technique, Industrie) Variante de évaporation par faisceau d’électrons (cf. pour autres informations) : évaporation sous vide, où le chauffage de la matière à déposer se fait par faisceau électronique. A titre de comparaison, notons que les valeurs du coefficient R trouvées par V. Stary et al. [32] pour les couches minces de Ni déposées par évaporation par faisceau électronique sur des substrats de mica et pour une épaisseur t = 4 nm, sont comprises entre 0.3 et 0.7, après un traitement thermique. — (Hemmous Messaoud, Étude des propriétés structurales et électriques des couches minces de Ni/Si (100) et de Ni/verre déposées par évaporation sous vide. : Mémoire de magister en physique du solide, Université Ferhat Abbas Sétif, Sétif, 2007) À titre de comparaison, on peut noter que des couches minces de platine (Pt) ayant une épaisseur d'environ 10 nm, fabriquées dans les conditions optimales à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique, augmentent la rugosité du substrat de silicium (Si) de 0.28 - 0.6 mm [12]. Il est à noter que les surfaces des couches fabriquées par pulvérisation ont généralement une rugosité plus petite que celles fabriquées à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique [12]. — (Marius Grigonis, Miroirs multicouches C/Si à incidence normale pour la région spectrale 25-40 nanomètres : Thèse de doctorat, Université Laval, Québec, 1997) === Voir aussi === évaporation par faisceau électronique sur l’encyclopédie Wikipédia === Références === Le Grand Dictionnaire terminologique, Office québécois de la langue française (évaporation par faisceau électronique) Bureau de la traduction du gouvernement du Canada, TERMIUM Plus, 1976-, en ligne → consulter cet ouvrage